内存时序2t会不会自动重启
内存时序的1t和2t是什么意思？
内存1T和2T有什么区别？
1T和2T的内存是指内存的延迟，也就是数据传输的延迟。
比如从硬盘传输数据到内存，不可能马上传输，肯定有一定的延迟。这个1T和2T就是延迟。1T比2T延迟小，速度快。
内存的1T/2T模式是什么意思？
这是记忆延迟选项。1T快，2T慢，但2T更稳。在存储器序列中，每个时钟有一个命令(CPC)，一般可选设置为自动、启用(1T)和禁用(2T)。每时钟命令(CPC:指令比，也翻译为：第一命令延迟)一般被描述为DRAM命令速率、CMD速率等。因为DDR内存的寻址，首先要进行P-Bank的选择(通过DIMM上的CS片选信号)，然后是L-Bank/row的激活和列地址的选择。该参数的含义是指在P-Bank被选中后，发出一个特定寻址的L-Bank/line激活命令需要多长时间，单位为时钟周期。显然，越短越好。但随着主板内存模块的增加，控制芯片组的负载也随之增加，命令间隔过短可能会影响稳定性。所以，当你的内存插了很多，出现不稳定的时候，你就需要把这个参数调整的更久。大多数主板都会自动设置这个参数。该参数的默认值是Disable(2T)。如果玩家的内存质量不错，可以设置为Enable(1T)。
内存1T和2T有什么区别？
1t和2t内存序列的区别：
1T延迟更小，系统内存性能更好。但是兼容性差。适用于DIMM未完全插入的情况。
2T延迟长，系统内存差很多。兼容性和稳定性高。适用于DIMM完全插入的情况。
扩展信息：
存储器时序(英文：Memory timings或RAM timings)是描述同步动态随机存储器(SDRAM)性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。它们通常被写成由破折号分隔的四个数字，例如7-8-8-24。第四个参数(RAS)经常被省略，有时会增加第五个参数(命令速率)，通常是2T或1T，也写作2N和1N。这些参数指定了影响随机存取存储器速度的延迟时间。数字越小，通常意味着性能越快。决定系统性能的最后一个因素是实际延迟时间，通常以纳秒为单位。
当将存储器定时转换成实际延迟时，最重要的是注意它是以时钟周期为单位的。如果不知道时钟周期的时间，就不可能知道一组数字是否比另一组快。
比如DDR3-2000内存的时钟频率是1000 MHz，它的时钟周期是1 ns。基于这个1 ns时钟，CL=7给出7 ns的绝对延迟。更快的DDR3-2666(时钟1333 MHz，每周期0.75 ns)可能使用更大的CL=9，但6.75 ns的绝对延迟更短。
现代DIMM包括一个串行存在检测(SPD)ROM芯片，其中包含自动配置的推荐内存时序。PC上的BIOS可能允许用户调整时序以提高性能(存在降低稳定性的风险)或在某些情况下提高稳定性(例如使用建议的时序)。
内存时序太高了会怎样？
高记忆计时的影响如下：计时的改变对记忆寿命影响不大，但计时的频繁改变会改变记忆的稳定性。而且超序中不加压对内存没有影响，加压会有一些影响，但只要不超过1.6V，一般没有问题。存储时序是描述记忆棒性能的参数，一般存储在记忆棒的SPD中。记忆时序越小越好。内存频率越高，延迟越小。这个延迟实际上是每个时钟周期的时间。内存时序可以理解为内存数据的读写时间，内存时序的单位是时钟周期。
例如，ddr2 800具有每时钟周期2.5纳秒的延迟。超频ddr2 800到ddr1000时，每个时钟周期的延迟是2纳秒，所以超频是对内存构成的考验。
ddr4内存时序多少比较好？
低频DDR4 2133MHz内存序列为15-15-15-36 2T，高频DDR4 3000MHz内存序列为15-16-16-36 2T。
DDR4内存的起飞频率是DDR42133MHz，这里作者定义为低频内存。理论上频率超过DDR42133MHz的内存可以称为高频内存，但是DDR42400、2666MHz等内存相比DDR42133MHz的提升并不明显，市面上类似DDR42666的内存也很少，所以笔者在这里将DDR43000MHz及以上的内存定义为高频内存。
内存trc时序多少最好？
16-16-16-36好时机。
ddr4内存的时序参数为3200(16)8G16，CL 16-16-16 1.35V，DDR4 2133，默认为1.2V。加载XMP可以直接将频率提升到DDR4 3200 16-16-16-36 2T，高频时的电压为1.35v