硅片清洗主要用到哪些药剂 硅片的酸洗技术是怎样一个过程啊，与生产太阳能有什么关系？

硅片清洗主要用到哪些药剂

硅片的酸洗技术是怎样一个过程啊，与生产太阳能有什么关系？

硅片的酸洗技术是怎样一个过程啊，与生产太阳能有什么关系？

酸洗可以用在太阳电池生产的很多阶段，比如多晶的制绒；单多晶的一次清洗，去PSG等

硅片清洗和硅料清洗的目的有什么区别？

你说的硅片清洗和硅料清洗不一样，硅料清洗使用氢氟酸洗去硅料上的氧化层。而硅片清洗又被称为制绒，是通过化学品腐蚀硅片表面，使其受光面积增大，反射率降低的一种技术。硅料清洗只会用氢氟酸，而硅料清洗还会用到硝酸的。

太阳能硅片是什么原料？

单硅烷(SiH4)、二硅烷(Si2H6)、四氟化硅(SiF4)等。
太阳能电池分为单晶硅太阳能电池、多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池三种。
单质硅的一种形态。熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。
多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。
非晶硅由非晶态合金制备，要获得非晶态，需要有高的冷却速率，而对冷却速率的具体要求随材料而定

rca清洗全称是什么？

rca清洗全称是工业标准湿法清洗工艺。RCA是一种典型的、普遍使用的湿式化学清洗法，该清洗法主要包括以下几种清洗液：
（1）SPM：H2SO4 /H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能把有机物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属，但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。
（2）HF(DHF)：HF(DHF) 20～25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中，同时DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al，Fe，Zn，Ni等金属，DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物。用DHF清洗时，在自然氧化膜被腐蚀掉时，硅片表面的硅几乎不被腐蚀。
（3）APM (SC-1）：NH4OH/H2O2 /H2O 30～80℃ 由于H2O2的作用，硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2)，呈亲水性，硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH 4OH腐蚀，因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中，从而达到去除粒子的目的。在 NH4OH腐蚀硅片表面的同时，H2O 2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。
（4）HPM (SC-2)：HCl/H2O2/H2 O 65～85℃ 用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污。在室温下HPM就能除去Fe和Zn。